真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制zrn膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源,pvd真空镀膜原理,以及脉冲偏压电源。
(1)抽真空
5 x 10-3~6.6 x 10-13pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100~150℃。
(2)轰击清洗
真空度:通---真空度保持在2~3pa。轰击电压:800~1000v,脉冲占空比20%。轰击时间:10min。
(3)手套箱
沉积锆底层
真空度:通入气,真空度保持在s x l0-1pa。靶电压:400—550v,靶功率15 n 30w/crrr2。脉冲偏压:450~500v,占空比20 %。手套箱时间:5~10min。
镀zrn膜
真空度:通入氮气,真空度保持在(3~5) x 10-1pa。靶电压:400~550v,pvd真空镀膜,靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压:150~200v,占空比80 %。手套箱时间:20~30min。
由于真空手套箱磁控溅射技术中金属离化率低,不容易进行反应沉积,获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱设备可采用气体离子源将反应气体离化,扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源,柱状弧源还是辅助手套箱源。
pvd:物理气相沉积:指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上,使得母体具有---的性能。 pvd基本方法:真空蒸发、溅射 、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀)。
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pvd真空镀膜与您分享基体外表状况对掩盖才能的影响
基体资料的外表状况是影响掩盖才能的主要要素之一。实习标明,金属在不一样基体资料上电堆积时,同一镀液的掩盖才能不一样也很大。如用---溶液镀铬,金属铬在铜、镍、黄铜和钢上堆积时,镀液的掩盖才能顺次递减。这是因为当金属离子在不一样的基体资料上复原堆积时,pvd金属真空镀膜,其过电位的数值有很大的不一样。过电位较小的分出电位较正,pvd真空镀膜公司,即便在电流密度较低的部位也能到达其分出电位的数值,因而其掩盖才能较好。基体资料的外表状况对掩盖才能的影响比较复杂。一般来说,同一镀液在光洁度高的基体外表上掩盖才能要比其在粗糙外表上的掩盖才能好。因为外表积大,其实在电流密度较低,不易到达金属的分出电位,而仅仅分出很多氢气。别的,若是基体外表镀前处置---,存在没有除尽的油膜、各种成相膜层或污物等,也将阻碍镀层的堆积而使掩盖才能下降。
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